GlobalFoundries
GlobalFoundries Inc. | |
---|---|
Тип | Публичная компания |
Листинг на бирже | NASDAQ: GFS |
Основание | 2009 |
Расположение | США: Мальта[англ.] (Нью-Йорк) |
Ключевые фигуры |
Ахмед Яхья аль-Идрисси (председатель совета директоров) Томас Колфилд (президент и CEO)[1] |
Отрасль | Полупроводниковая промышленность |
Продукция | Микросхемы |
Собственный капитал | ▲ $9,96 млрд (2022)[2] |
Оборот | ▲ $8,108 млрд (2022)[1][2] |
Затраты на НИОКР | ▲ $0,482 млрд (2022)[2] |
Операционная прибыль | ▲ $1,167 млрд (2022)[2] |
Чистая прибыль | ▲ $1,448 млрд (2022)[2] |
Активы | ▲ $17,84 млрд (2022)[2] |
Капитализация | $28,6 млрд (08.02.2024)[1] |
Число сотрудников | 14 000 (2022)[2] |
Аудитор | KPMG |
Сайт | gf.com (англ.) |
Медиафайлы на Викискладе |
GlobalFoundries Inc. — транснациональная компания, занимающаяся контрактным производством полупроводниковых интегральных микросхем. GlobalFoundries была создана в 2009 году на основе производственного подразделения компании AMD, затем расширена путём слияния в 2010 году с сингапурской компанией Chartered Semiconductor Manufacturing[3]. Формально зарегистрирована на Каймановых островах (Ugland House[англ.]), штаб-квартира расположена в городке Мальта[англ.], штат Нью-Йорк, США. Ключевой акционер — Mubadala Investment Company (85,7 % акций).
История
[править | править код]В 2009 году AMD объявила о намерении продать свой полупроводниковый бизнес и стать бесфабричной компанией. 4 марта 2009 года Advanced Technology Investment Company (ATIC), фонд в составе инвестиционной группы Mubadala правительства Абу-Даби, приобрёл контрольный пакет акций этого подразделения, которое получило название GlobalFoundries; его штаб-квартира разместилась в Калифорнии. Первоначально производственные мощности состояли из полупроводникового завода в Дрездене (Германия) и проекта завода в Мальте (Нью-Йорк). В 2010 году была поглощена сингапурская полупроводниковая компания Chartered Semiconductor Manufacturing[4].
В марте 2012 года ATIC выкупил у AMD оставшуюся долю 8,8 %[5].
В 2015 году за 1,5 млрд долларов было куплено подразделение микроэлектроники IBM с заводами в штатах Нью-Йорк и Вермонт. В 2017 году был открыт завод в Мальте (Нью-Йорк), туда же была перенесена штаб-квартира[2][4].
Согласно информации TrendForce на конец 2017 года, GlobalFoundries была вторым по объёму контрактным производителем микросхем с долей рынка 9,4 %. На первом месте была TSMC (55,9 %), на третьем — United Microelectronics Corporation (8,5 %)[6].
В 2017 году началось строительство завода в Чэнду (КНР), он был открыт в 2018 году, однако в 2020 году GlobalFoundries вынуждена была остановить его работу из-за убытков. В 2023 году завод купила китайская группа Hua Hong Semiconductor в партнёрстве с автопроизводителем BYD[7].
В ноябре 2021 года компания провела размещение своих акций на бирже Nasdaq. В конце 2022 года был продан пятый завод, располагавшийся в Ист-Фишкилл[англ.] (штат Нью-Йорк), он имел производительность 140 тысяч 300-мм пластин в год[2].
Деятельность
[править | править код]Выручка за 2022 год составила 8,1 млрд долларов, из них 60 % пришлось на США, на Европу, Ближний Восток и Африка — 15 %, другие регионы — 25 %[2].
Крупнейшими клиентами компании в 2022 году были AMD, Cirrus Logic, Infineon, Marvell Technology, MediaTek, NXP Semiconductors, Qorvo, Qualcomm, Samsung Electronics и Skyworks Solutions. Основной поставщик субстрата (пластин кремния на изоляторе) — французская компания Soitec. За 2022 год было произведено 2,5 млн полупроводниковых пластин (в эквиваленте 300-мм пластин)[2].
GlobalFoundries принадлежат 4 завода по производству микросхем на 200-мм и 300-мм кремниевых пластинах[2]:
- Берлингтон (Вермонт, США) — 231 тысяч пластин в год, техпроцесс 90—180 нм, 2000 сотрудников;
- Мальта (Нью-Йорк, США) — 390 тысяч пластин в год, техпроцесс 12—14 нм (FinFET), 2500 сотрудников;
- Дрезден (Германия) — 650 тысяч пластин в год, техпроцесс 22/28 нм — 55 нм, 3500 сотрудников;
- Сингапур — 1,06 млн пластин в год, техпроцесс 40—600 нм, 3900 сотрудников.
Компания обладает тремя группами техпроцессов: Super High Performance (SHP), Low Power/Super Low Power (LP/SLP), High Performance (HP, Generic).[8] Имеет производство уровня до 14 и 12 нм[9][10][11][12].
Ею производится APU Xenon для игровой консоли седьмого поколения Xbox 360 S.
См. также
[править | править код]Примечания
[править | править код]- ↑ 1 2 3 GlobalFoundries Inc. (англ.). Reuters. Дата обращения: 8 февраля 2024. Архивировано 8 февраля 2024 года.
- ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Annual Report 2022 (Form 20-F) (англ.). GlobalFoundries Inc.. Дата обращения: 8 февраля 2024. Архивировано 22 февраля 2024 года.
- ↑ About GlobalFoundries . Дата обращения: 16 октября 2011. Архивировано 24 октября 2011 года.
- ↑ 1 2 GLOBALFOUNDRIES Brief History (англ.). AnySilicon. Дата обращения: 8 февраля 2024.
- ↑ Globalfoundries выкупила оставшуюся долю AMD и стала полностью независимой . Дата обращения: 29 апреля 2012. Архивировано 24 апреля 2012 года.
- ↑ TrendForce Reports Top 10 Ranking of Global Semiconductor Foundries of 2017, TSMC Ranks First with Market Share of 55.9% (англ.). press.trendforce.com. Дата обращения: 8 апреля 2018. Архивировано 9 апреля 2018 года.
- ↑ BYD, Huahong Take On Abandoned Semiconductor Fab Projects in China’s Chengdu (англ.). Yicai Media Group (8 декабря 2023). Дата обращения: 8 февраля 2024. Архивировано 8 февраля 2024 года.
- ↑ Dr. Udo Nothelfer. The Semiconductor Foundry Transition and it‘s Impact on the Mask Industry (англ.). GlobalFoundries, EMLC 2010 (9 февраля 2010). Дата обращения: 6 сентября 2014. Архивировано 6 сентября 2014 года.
- ↑ GlobalFoundries Adds 12LP Process for Mainstream and Automotive Chips; AMD Planning 12LP CPUs & GPUs . Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 17 декабря 2019 года.
- ↑ GlobalFoundries Unveils 12LP+ Technology: Massive Performance & Power Improvements . Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 3 марта 2020 года.
- ↑ VLSI 2018: GlobalFoundries 12nm Leading-Performance, 12LP – WikiChip Fuse . Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 7 апреля 2019 года.
- ↑ A 12nm FinFET Technology Featuring 2nd Generation FinFET for Low Power and High Performance Applications - IEEE Conference Publication . Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 17 декабря 2019 года.