EPROM

EPROM

EPROM(Erasable PROM, 삭제 가능한 롬)은 필요할 때 기억된 내용을 지우고 다른 내용을 기록할 수 있는 롬이다. 지우는 방법에 따라 자외선으로 지울 수 있는 UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory)과 높은 전압으로 지울 수 있는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)로 나뉜다. 하지만 일반적으로 UVEPROM을 가리킨다.

UVEPROM은 1971년 인텔의 엔지니어인 Dov Frohman이 발명했으며 최초의 제품은 인텔 1702A이다.

기록은 플로팅 게이트(floating-gate) 트랜지스터에 고전압(보통 12V 전후)으로 전자를 주입하여 기록하며 플로팅 게이트는 절연되어 있어서 전원을 꺼도 전자는 보존되어 롬으로 사용할 수 있다. 그러나 여기에 강한 자외선(234nm)을 쬐게 되면 전자는 게이트의 절연막을 통과해 기록이 지워지게 된다. 보통 UVEPROM에는 석영유리창이 있어 다른 롬들과는 확연히 구분한다. 기록횟수는 고전압이 실리콘에 영향을 주기 때문에 20회 전후이며 차광 씰을 잘 부착하여 최적으로 보관한다면 약 10년 데이터 보관이 가능하다.

UVEPROM은 과거 메인보드, 그래픽카드의 바이오스 칩이나 게임기의 롬으로 많이 사용되었다.

그리고 칩 패키지에서 창을 없앤 UVEPROM을 OTP(one-time programmable)라고 하는데 소거창이 없기 때문에 한번 기록 후 지울 수 없으며 주로 마이크로컨트롤러에서 볼 수 있다.

EPROM 모델명	출시년도	용량 (비트)	용량 (바이트)	길이(hex)	주소(hex)	공정
1702, 1702A	1971	2 Kbit	256	100	FF	PMOS
2704	1975	4 Kbit	512	200	1FF	NMOS
2708	1975	8 Kbit	1 KB	400	3FF	NMOS
2716, 27C16, TMS2716, 2516	1977	16 Kbit	2 KB	800	7FF	NMOS/CMOS
2732, 27C32, 2532	1979	32 Kbit	4 KB	1000	FFF	NMOS/CMOS
2764, 27C64, 2564		64 Kbit	8 KB	2000	1FFF	NMOS/CMOS
27128, 27C128		128 Kbit	16 KB	4000	3FFF	NMOS/CMOS
27256, 27C256		256 Kbit	32 KB	8000	7FFF	NMOS/CMOS
27512, 27C512		512 Kbit	64 KB	10000	FFFF	NMOS/CMOS
27C010, 27C100		1 Mbit	128 KB	20000	1FFFF	CMOS
27C020		2 Mbit	256 KB	40000	3FFFF	CMOS
27C040, 27C400, 27C4001		4 Mbit	512 KB	80000	7FFFF	CMOS
27C080		8 Mbit	1 MB	100000	FFFFF	CMOS
27C160		16 Mbit	2 MB	200000	1FFFFF	CMOS
27C320, 27C322		32 Mbit	4 MB	400000	3FFFFF	CMOS

같이 보기

• ROM
• PROM

외부 링크

• (영어) Detailed information about EPROM types and EPROM programming
• (영어) Video of the Intel 1702 EPROM